三星电子(SamsungElectronics)与IBM联手研发出有11纳米制程的次世代存储器磁矩传输(SpinTransferTorque)磁性存储器(STT-MRAM)。两家公司也回应，预计在3年内进行MRAM量产，也引发了业界高度的注目。 韩媒认为，STT-MRAM是有望代替传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。
与目前的NANDFlash比起，载入速度快上10万倍，而加载速度则是单圈相似10倍。由于STT-MRAM只要利用少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不用于时也几乎不必须电力。
MRAM的另外一项特征是寿命时间无限。NANDFlash反覆读取后，寿命就不会大幅度延长。
虽然最近靠着技术的发展，早已缩短了NANDFlash的使用寿命，但未有经常出现颠覆性的提高技术。 MRAM自2007年亮相，2011年三星电子卖给享有STT-MRAM技术的开发公司Grandis。
而SK海力士(SKHynix)则是与东芝(Toshiba)合作，联合研发MRAM技术。 然而，这样比NANDFlash读取速度还慢，又没寿命问题的MRAM却有一个可怕的缺点，那就是50纳米以下的识制程非常艰难，费用又十分可观。
过去这段期间，半导体大厂如英特尔(Intel)、美光(Micron)等虽然大力展开MRAM的研发，但到目前为止，都没能研发出比NANDFlash更高统合度、更加较低生产价格的MRAM，以致如期无法商品化。 在此次三星与IBM联合研发顺利研发11纳米MRAM之后，情况将未来将会大幅度改变。用在物联网(IoT)装置感测器、移动装置等领域的机会将不会无穷无尽。
长年来看，更加未来将会可以代替NANDFlash市场。 另一方面，三星与IBM除了在次世代存储器事业上有合作以外，也爆出正在研拟于人工智能(AI)、半导体事业的合作方案。
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