本文摘要：作为一种新型的二维半导体材料，黑磷因其独有的面内各向异性引发了研究人员的普遍注目。近期，几种其它面内各向异性二维材料（如ReS2、ReSe2；SnS、GeSe等）也被陆续报导。此类材料独有的面内各向异性使其区别于以往的石墨烯、MoS2等面内各向同性二维材料，展现出出有类似的电学、光学、机械和热学性能，并被顺利应用于集成电路中的反相器、基于晶向的二极管、人造神经元和偏振光光电探测器等器件中。

作为一种新型的二维半导体材料，黑磷因其独有的面内各向异性引发了研究人员的普遍注目。近期，几种其它面内各向异性二维材料（如ReS2、ReSe2；SnS、GeSe等）也被陆续报导。此类材料独有的面内各向异性使其区别于以往的石墨烯、MoS2等面内各向同性二维材料，展现出出有类似的电学、光学、机械和热学性能，并被顺利应用于集成电路中的反相器、基于晶向的二极管、人造神经元和偏振光光电探测器等器件中。

其中，偏振光观测由于在通信中的最重要地位，被指出是近年来十分有发展潜力的一个研究领域。目前，基于黑磷、ReS2、GeSe等面内各向异性材料的偏振光观测虽性能出色，但因上述材料带上隙皆较小（＜2eV），在展开较短波段光偏振观测时还须要简单及便宜的光学系统将其理想的光搜范围调到短波段。

【成果概述】近期，中国科学院化学研究所胡劲松研究员课题组与北京大学张耿民教授课题组等合作明确提出一种具备较宽带隙的面内各向异性材料—GeSe2（2．74eV）。研究人员首先通过理论计算出来研究了GeSe2沿面内的能带结构，其在x方向和y方向的空穴有效地质量分别为～0．755m0和～1．562m0，从理论上证实了其面内各向异性。

然后，通过角辨别纳曼光谱和角辨别电导测试，表明了其明显的面内振动和电导各向异性。随后，基于单个GeSe2纳米片构筑了光电探测器。在有所不同方向的450nm偏振光太阳光下展现出出有明显的光电流差异，反映了该材料在短波区域出色的偏振光观测性能。

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